装置一覧

 本施設には,非常に多くの先端的な装置が設置されていますが,専任のスタッフのみですべての装置を維持管理するのは困難のため,ボランティアベースで工学研究科等の多くの教員・スタッフに協力いただいています。そのため,本施設を利用いただく場合には,利用研究室・利用グループの責任者の方に,大学院生の利用の指導や装置トラブルの対応などをお願いしております。

 

薄膜の形成

 薄膜材料によって,スパッタリング装置,MBE装置などを利用することができます。目的の材料に対して,どの装置が適切か本施設のスタッフにご相談ください。

成膜装置

装置名(メーカー名)

設置場所

設備・機器概要

8元マグネトロンスパッタ装置

新館1階実験室

2インチカソード8本
試料サイズ30 mm角
RF電源 500 W 2台
基板加熱:600℃
1 kV Arイオンエッチング機構
試料交換室に8サンプルバンク可

8元MBE装置

新館1F階験室

蒸着源:4cc蒸着源4個、2cc蒸着源2個
試料サイズ30 mm角
高圧電源3台
基板加熱:1000℃
1kV Arイオンエッチング機構
25 kV RHEED表面観察機能

3元マグネトロンスパッタ装置
(島津製作所製 HSR-522)

デバイスプロセス室

4インチカソード3本,RF電源500 W 2台
逆スパッタ機構,基盤回転,シャッター開閉機構による多層膜成長可能

スプレーコーター一式
(サンメイ製 DC110)

微細加工室


対応膜厚:1 µm〜600 µm
試料台サイズ:220 x 220 mm
粒子径:5 µm〜15 µm

プラズマCVD装置
(サムコ社製 PD-240)

デバイスプロセス室

基板加熱:抵抗加熱式 (~400℃)
適正ウェハ寸法:不定形~3インチ径
高周波電源:最大300 W(13.56 MHz,水晶制御式)
供給ガス:TEOS, O2,CF4

 

 

光リソグラフィ/電子線リソグラフィ

 本施設には,複数のマスクアライナが設置されていますので,目的に適した装置を利用いただけます。また,電子線描画装置については,平成25年度にJEOLのJBX6300FSに更新されましたので,従来より精度の高い描画が可能となりました。リソグラフィについては,微細加工ナノプラットフォーム事業で,支援を行っていますので本施設のスタッフまたは,ナノプラットフォーム事務局にお問い合わせください。

露光・描画装置

装置名(メーカー名)

設置場所

設備・機器概要

電子線描画装置
(日本電子社製 JBX6300FS)

マスク室

加速電圧:25 / 50 / 100kV
最小ビーム径:2 nm
ビーム電流:100 pA - 2 nA
重ね合わせ精度:9 nm

マスクアライナ
(キャノン社製 PLA-501(S))

微細加工室

厚さ0.7μm以下の不定形試料に対応

マスクアライナ
(ユニオン光学社製 PEM800)

微細加工室

両面露光が可能
対応基板サイズ:最大4インチ
最小パターン:3.0μm

マスクアライナ
(SUSS Micro Tec AG社製 MJB-3)

微細加工室

最大ウェーハサイズ:3 inch(吸引モード),4 inch(ソフトコンタクト)
照射範囲:3×3 inch
対応基板厚さ:4.5 mm
両面露光:可能(赤外線照明)

スピナー

微細加工室

H-D7型,レジストの塗布

 

 

各種プロセス装置

 本施設には,イオン注入装置,反応性エッチング装置,電気炉,ダイシングマシン,ワイヤボンダなどの多くのプロセス装置が設置されています。これらの装置を組み合わせて利用することでナノデバイスなどを開発することが可能となります。本施設では,デバイス作製全般についてノウハウの提供などの支援を行うことができますので,詳細はスタッフにお問い合わせください。

プラズマエッチング等プロセス装置

装置名(メーカー名)

設置場所

設備・機器概要

反応性イオンエッチング装置
(サムコ社製)

デバイスプロセス室

サムコ社製 RIE-1C
エッチングガス:CF4、O2
高周波電力:150W

ECR-SIMSエッチング装置
(ECRイオンガン:入江工研社製,
 SIMS検出器:PFEIFFER社製 )

新館1階実験室

ECRイオンガン:
マイクロ波入力150 W,加速電圧600 V,イオン照射径30mm

SIMS検出器:
分析質量1-512 amu
試料角度調整,回転機構付き

ICPエッチング装置一式
(アルバック社製 CE-300I)

デバイスプロセス室 化合物エッチング
対応基板サイズ:最大6インチ基板
プロセスガス:Cl2

イオン注入装置
(日新電機社製 NH-20SR-WMH)

デバイスプロセス室

加速電圧:30-200kV
注入電流:5nm~100μA

電気炉
(光洋リンドバーグ社製 MODEL272-2)

デバイスプロセス室

温度範囲:400-1100℃

急速加熱処理装置
( AG Associates社製 Heatpulse 610)

デバイスプロセス室

温度範囲:400~1200℃
昇温速度:200℃/sec

フェムト秒レーザー加工分析システム
(輝創社製 UFL-Hybrid)

旧館1階実験室

光源:1041 nm, 550 fs, 10 µJ (IMRA µjewel D-1000)
高調波発生ユニット:40% @520 nm, 5% @347 nm
(加工ステーション)
最大試料寸法:100 mm x 100 mm
加工スポット:3.5 µmφ
(分析ステーション)
時間分解蛍光・磁気分析・光干渉断層撮影

ダイシングソー装置
(サムコ社製 DAD522)

デバイスプロセス室

最大ワークサイズ:Φ152.4 mm
切削可能範囲(XY):220 mm×160 mm
有効ストローク(Z):27.2 mm
回転角:380°
アラインメント用対物レンズ:100倍

ワイヤボンダー
(超音波工業製 SW-1-7K
超音波工業製 SW-1-20A)

デバイスプロセス室

SW-1-7K
超音波出力:1W
マニュアル式:IC用専用ステージ有
ワイヤ径:30 µm

SW-1-20A
超音波出力:5W
マニュアル式:IC用専用ステージ無
ワイヤ径:200 µm

 

 

構造解析と表面分析

 本施設には,薄膜を中心とする各種材料の構造解析や表面分析を行う装置群が整備されています。装置利用のインストラクションや測定結果の解析の支援などについては,スタッフにお問い合わせください。

計測・分析装置

装置名(メーカー名)

設置場所

設備・機器概要

X線光電子分光装置
(VG社製 ESCALAB210)

計測・分析室

線源:Mg/AlツインアノードおよびAlモノクロX線源
Arスパッタ銃による試料エッチング可能
角度分解測定用マニュピレータ

走査型電子顕微鏡
(日本電子社製 JSM-6301F)

微細加工室

線源:冷陰極電界放射型電子銃
加速電圧:0.5~30kV
倍率:10~500,000
エネルギー分散型分光器による組成分析可能

薄膜X線回折装置
(RIGAKU社製 ATX-G)

計測・分析室

Cu Kα線 18kW 多層膜ミラー,Geモノクロメーター付き
測定モード:θ-2θスキャン,ロッキングカーブ,逆格子面マッピング,膜面内φスキャン,φ-2θχスキャンなど

原子間力顕微鏡
(Bruker社製 AXS Dimension3100)

新館1F実験室

スキャン領域:XY方向 約90μm,Z方向 約6μm
試料サイズ:最大150 mmφ-12 mmt
測定モード AFM,MFM,EFM,LFM,表面電位顕微鏡,電流像,リソグラフィー

小型微細形状測定機一式
(小坂研究所社製 ET200)

微細加工室

最大サンプルサイズ: φ160×厚さ48mm
再現性 : 1σ 1nm以内
測定範囲 : Z:600μm X:100mm
分解能 Z: 0.1nm X:0.1μm
測定力: 10μN〜500μN

段差膜厚計
(小阪研究所製 Surfcorder ET-30)

計測・分析室

触針式表面粗計
測定範囲 : Z:12μm X:25mm
薄膜の膜厚測定

 

 

電話: 052-789-5465

受付時間: 平日 AM 10:00 〜 PM 4:00